Pat
J-GLOBAL ID:200903026606541540
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、光機能素子および光機能素子の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003282810
Publication number (International publication number):2005051115
Application date: Jul. 30, 2003
Publication date: Feb. 24, 2005
Summary:
【課題】 多層型光機能素子を提供する。【解決手段】 有機材料を含む受光層、または有機材料を含む発光層に薄膜トランジスタが接続されてなる光機能素子であって、前記薄膜トランジスタは、基板上に形成された、透明なゲート電極と、前記ゲート電極に接する透明なゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極と対向する透明な半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された透明なソース電極と、前記半導体層に電気的に接続された透明なドレイン電極とを有し、前記基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極、ドレイン電極のうち、少なくとも一つが有機材料により形成されていることを特徴とする光機能素子を用いた。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
透明な基板上に形成された、ゲート電極と、
前記ゲート電極に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極と対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続されたソース電極と、
前記半導体層に電気的に接続されたドレイン電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極が、透明な有機材料からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (5):
H01L29/786
, H01L27/146
, H01L31/08
, H01L51/10
, H05B33/14
FI (8):
H01L29/78 617M
, H05B33/14 A
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 617T
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 626C
, H01L27/14 C
, H01L31/08 T
F-Term (54):
3K007AB11
, 3K007BA06
, 3K007BA07
, 3K007CA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007FA03
, 3K007GA00
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA14
, 4M118CA19
, 4M118CA22
, 4M118CA27
, 4M118CA40
, 4M118CB05
, 4M118FB03
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118FB19
, 4M118FB24
, 5F088AB11
, 5F088AB13
, 5F088BA13
, 5F088BA20
, 5F088BB03
, 5F088CA05
, 5F088EA04
, 5F088EA06
, 5F088FA04
, 5F088GA02
, 5F088KA10
, 5F088LA03
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE07
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN01
, 5F110NN02
, 5F110NN72
, 5F110NN73
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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光電変換膜及びそれを具えた固体撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-007747
Applicant:日本放送協会
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USP 5965875号公報
-
薄膜トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-081483
Applicant:富士ゼロックス株式会社
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アクティブマトリクス液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-220381
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-274333
Applicant:川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
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Cited by examiner (3)
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表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-285906
Applicant:カシオ計算機株式会社
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有機半導体製画像センサ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-529741
Applicant:ユニアックスコーポレイション
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半導体装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-508258
Applicant:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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