多数チップ半導体LEDアセンブリ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002139659
Publication number (International publication number)：2003008083
Application date： May. 15, 2002
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】より密度の高いLED構造を提供すること。【解決手段】発光デバイスは、共有されるサブマウントに搭載され、サブマウントに形成される回路に接続される、様々なLEDを含む。これらLEDについては、III族窒化物タイプとすることができる。LEDの構造については、反転型または非反転型のいずれかとすることができる。反転型LEDによれば、光の発光を改善することができる。LEDは、同一波長または異なる波長の光を発することができる。回路は、LEDを直列および並列の組み合わせで接続することができ、様々な構成の間で切り替え可能なものである。他の回路は、発せられた光の強度をフィードバックかつ制御するための感光性デバイス、または、LEDをストローブする発振器を含みうる。

Claim (excerpt)：

共有されるサブマウントに配置された1つ以上の発光ダイオードと、前記共有されるサブマウントの上の回路と、を備え、前記1つ以上の発光ダイオードは、前記回路に接続されていることを特徴とする発光デバイス。

FI (2)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C

F-Term (7)：

5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA13 , 5F041DA14 , 5F041DA20 , 5F041DA83

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-046979 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-287623 Applicant：松下電子工業株式会社
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-281512 Applicant：豊田合成株式会社

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