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J-GLOBAL ID：200903027343189150

酸化物半導体PN接合デバイス

Inventor： 太田 裕道 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  平野 正浩
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  太田 裕道
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002278214
Publication number (International publication number)：2004119525
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】紫外光検出用デバイス材料として用いられているGaNは、可視光及び紫外域に光感度を有するために、該デバイスでは、光フィルターを用いて不要光を取り除き、特定波長を有する紫外光のみをGaN検出器に入射する必要がある。【構成】ITO単結晶膜上にエピタキシャル成長したn型電気伝導を示すZnxMg1-xO(ただし、0.7<x≦1)単結晶薄膜、該ZnxMg1-xO単結晶薄膜上に多結晶又はアモルファス膜として堆積されアニールによりエピタキシャル成長したp型電気伝導を示すLiイオンを含むNiO薄膜又はZnRh2O4膜とからなるPN接合デバイス及びITO膜上に堆積されたn型電気伝導を示すアモルファスInGaO3(ZnO)m(mは1以上50未満の整数)薄膜、該InGaO3(ZnO)m 上に堆積されたp型電気伝導を示すアモルファスNiO薄膜又はZnRh2O4薄膜とからなるPN接合デバイス。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

酸化物半導体化合物薄膜から構成されるPN接合デバイスであって、ITO単結晶膜上にエピタキシャル成長したn型電気伝導を示すZnxMg1-xO(ただし、0.7<x≦1)単結晶薄膜、該ZnxMg1-xO単結晶薄膜上に多結晶又はアモルファス膜として堆積されアニールによりエピタキシャル成長したp型電気伝導を示すLiイオンを含むNiO薄膜とからなり、該ZnxMg1-xO単結晶薄膜と該Liイオンを含むNiO薄膜とがヘテロエピタキシャル界面を形成していることを特徴とするPN接合デバイス。

IPC (1)：

H01L31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (8)：

5F049MA03 ,  5F049MB01 ,  5F049MB12 ,  5F049NA10 ,  5F049QA04 ,  5F049SE04 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光ダイオードおよび半導体レーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-024843   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛
• pin型光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-224061   Applicant：スター精密株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• X線アモルファスp型伝導性酸化物;ZnRh2O4
• ZnRh2O4: A p-type semiconducting oxide with a valence band composed of low spin state of Rh3+ in a 4
• InGaO3(ZnO)5単結晶薄膜を用いたMISFETの作成
• インスタント固層エピタキシャル法による自然超格子酸化物InGaO3(ZnO)m単結晶薄膜の作製(I)