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J-GLOBAL ID：200903027359788674

半導体装置とその製造方法

Inventor： 倉橋 輝雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006280187
Publication number (International publication number)：2007053394
Application date： Oct. 13, 2006
Publication date： Mar. 01, 2007
Summary：

【課題】 nMOSFETのゲートとpMOSFETのゲートとが異なる低抵抗材料で形成された半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 pMOSFETとnMOSFETとを有する半導体装置であって、pMOSFET及びnMOSFETのそれぞれは、シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極両側に形成されたソース/ドレイン領域と、を有し、pMOSFETのゲート電極及びソース/ドレイン領域と、nMOSFETのソース/ドレイン領域とは、金属リッチのシリサイドで形成され、nMOSFETのゲート電極は、置換アルミニウムで形成される。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

pMOSFETとnMOSFETとを有する半導体装置であって、 前記pMOSFET及びnMOSFETのそれぞれは、 シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極両側の前記シリコン基板に形成されたソース/ドレイン領域と、 を有し、 前記pMOSFETの前記ゲート電極及びソース/ドレイン領域と、前記nMOSFETの前記ソース/ドレイン領域とは、金属リッチのシリサイドで形成され、 前記nMOSFETのゲート電極は、置換アルミニウムで形成された半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/78

FI (7)：

H01L27/08 321F ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G

F-Term (77)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB28 ,  4M104BB38 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD50 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104DD94 ,  4M104EE09 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  4M104HH05 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG11 ,  5F048DA18 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG26 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ19 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CE16 ,  5F140CF07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• コバルト/ニオブ二重金属層構造を利用したシリサイド形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-309181   Applicant：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-174058   Applicant：株式会社東芝
• 置換ゲート構造を有するトランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-368146   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

Cited by examiner (1)

• 置換ゲート構造を有するトランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-368146   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Transistor with Dual Work Function Metal Gates by Single Full Silicidation(FUSI) of Polysilicon Gate