パターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999065749
Publication number (International publication number)：2000227665
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】パターン形成方法を提供する。【解決手段】下記工程(1)絶縁被膜形成用樹脂層の表面に感エネルギー線被膜層を積層した後、(2)所望のパターンが得られるように活性エネルギー線や熱線をマスクを介して照射もしくは直接に照射させ、(3)感エネルギー線被膜層を現像処理して感エネルギー線被膜層によるレジストパターン被膜を形成し、(4)更に、所望のパターンが得られるように絶縁被膜形成用樹脂層を現像処理により除去する工程を含むことを特徴するパターン形成方法。

Claim (excerpt)：

下記工程(1)絶縁被膜形成用樹脂層の表面に感エネルギー線被膜層を積層した後、(2)所望のパターンが得られるように活性エネルギー線や熱線をマスクを介して照射もしくは直接に照射させ、(3)感エネルギー線被膜層を現像処理して感エネルギー線被膜層によるレジストパターン被膜を形成し、(4)更に、所望のパターンが得られるように絶縁被膜形成用樹脂層を現像処理により除去する工程を含むことを特徴するパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/40 521 , G03F 7/004 512 , H05K 3/00

FI (3)：

G03F 7/40 521 , G03F 7/004 512 , H05K 3/00 G

F-Term (25)：

2H025AA03 , 2H025AA20 , 2H025AB15 , 2H025AB17 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BC85 , 2H025CB43 , 2H025CB48 , 2H025DA29 , 2H025DA40 , 2H025EA08 , 2H025FA10 , 2H025FA28 , 2H025FA29 , 2H096AA27 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096CA05 , 2H096CA16 , 2H096EA04 , 2H096FA10 , 2H096HA01 , 2H096HA30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開昭47-041374
基板のパターニング法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-279981 Applicant：有限会社増山新技術研究所, シプレイ・ファーイースト株式会社
特開平1-260831

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