Pat
J-GLOBAL ID:200903027587341981
位置合わせ方法および加工装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999261911
Publication number (International publication number):2001085501
Application date: Sep. 16, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ナノメートルレベルの精度の加工を可能とする、マスクや原盤と基板の位置合わせの方法および加工装置を提供すること。【解決手段】 パターンが形成されたマスク21もしくは原盤を保持する手段と、加工される基板31を保持する手段と、マスク21もしくは原盤と基板31の特定箇所にセルフアライン部位を有し、マスク21もしくは原盤と基板31の相対位置の測定を、?@マスク21もしくは原盤上、あるいは基板31上に形成された、相対位置を光干渉法で光学的に検出する方法?Aマスク21もしくは原盤上、あるいは基板31上に形成された、蛍光物質と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出する方法?Bマスク21もしくは原盤上、あるいは基板上に形成された、相対位置を検出するAFMまたはSTMの?@から?Bのいずれかの方法で行うことを特徴とする位置合わせ方法。
Claim (excerpt):
パターンが形成されたマスクもしくは原盤を保持する手段と、加工される基板を保持する手段と、マスクもしくは原盤と基板の特定箇所にセルフアライン部位を有し、マスクもしくは原盤と基板の相対位置の測定を、マスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された相対位置を光干渉法で光学的に検出するか、マスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された蛍光物質と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出するか、またはマスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された相対位置を検出するAFMもしくはSTMのいずれかの方法で行うことを特徴とする位置合わせ方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/68 F
, H01L 21/30 525 E
F-Term (22):
5F031CA07
, 5F031JA02
, 5F031JA22
, 5F031JA38
, 5F031JA50
, 5F031KA11
, 5F031MA27
, 5F046AA28
, 5F046BA02
, 5F046BA10
, 5F046CC01
, 5F046CC02
, 5F046CC03
, 5F046CC05
, 5F046EA13
, 5F046EA18
, 5F046EA21
, 5F046EB01
, 5F046EB02
, 5F046FA05
, 5F046FA17
, 5F046FA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
-
特開昭60-214531
-
特開昭49-048404
-
特開平4-342112
-
特開昭63-208703
-
光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-319781
Applicant:株式会社日立製作所
-
基板位置合わせ方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-360472
Applicant:ソニー株式会社
-
シリコンウエハの加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-338888
Applicant:株式会社ユニシアジェックス
-
半導体素子搭載装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-131617
Applicant:日本電気株式会社
-
特開平4-348583
-
X線露光方法及びX線マスク製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-118737
Applicant:富士通株式会社
-
特開平4-024638
Show all
Return to Previous Page