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J-GLOBAL ID:200903027587341981

位置合わせ方法および加工装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999261911
Publication number (International publication number):2001085501
Application date: Sep. 16, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ナノメートルレベルの精度の加工を可能とする、マスクや原盤と基板の位置合わせの方法および加工装置を提供すること。【解決手段】 パターンが形成されたマスク21もしくは原盤を保持する手段と、加工される基板31を保持する手段と、マスク21もしくは原盤と基板31の特定箇所にセルフアライン部位を有し、マスク21もしくは原盤と基板31の相対位置の測定を、?@マスク21もしくは原盤上、あるいは基板31上に形成された、相対位置を光干渉法で光学的に検出する方法?Aマスク21もしくは原盤上、あるいは基板31上に形成された、蛍光物質と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出する方法?Bマスク21もしくは原盤上、あるいは基板上に形成された、相対位置を検出するAFMまたはSTMの?@から?Bのいずれかの方法で行うことを特徴とする位置合わせ方法。
Claim (excerpt):
パターンが形成されたマスクもしくは原盤を保持する手段と、加工される基板を保持する手段と、マスクもしくは原盤と基板の特定箇所にセルフアライン部位を有し、マスクもしくは原盤と基板の相対位置の測定を、マスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された相対位置を光干渉法で光学的に検出するか、マスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された蛍光物質と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出するか、またはマスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された相対位置を検出するAFMもしくはSTMのいずれかの方法で行うことを特徴とする位置合わせ方法。
IPC (2):
H01L 21/68 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/68 F ,  H01L 21/30 525 E
F-Term (22):
5F031CA07 ,  5F031JA02 ,  5F031JA22 ,  5F031JA38 ,  5F031JA50 ,  5F031KA11 ,  5F031MA27 ,  5F046AA28 ,  5F046BA02 ,  5F046BA10 ,  5F046CC01 ,  5F046CC02 ,  5F046CC03 ,  5F046CC05 ,  5F046EA13 ,  5F046EA18 ,  5F046EA21 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046FA05 ,  5F046FA17 ,  5F046FA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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