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J-GLOBAL ID：200903027671101597

III族窒化物基板を用いる半導体素子

Inventor：
神原 康雄

About 神原 康雄


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003125989
Publication number (International publication number)：2004335559
Application date： Apr. 30, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：
【課題】高輝度LED素子または高出力レーザー素子を提供することを目的とする。【解決手段】III 族窒化物基板上に、活性層を有する窒化物半導体層を積層した半導体素子において、前記基板がアルミニウムを含有したIII族窒化物基板とする。前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。前記III 族窒化物基板上に形成される前記窒化物半導体層は、少なくとも活性層、n型窒化物半導体層、p型窒化物半導体層を有し、前記活性層は、前記n型窒化物半導体層及び前記p型窒化物半導体層で挟まれるように積層されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
III 族窒化物基板上に、活性層を有する窒化物半導体層を積層した半導体素子において、 前記基板がアルミニウムを含有したIII族窒化物基板であることを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (22)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CB11 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA43 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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