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J-GLOBAL ID：200903031502432468

集積回路の金属層間の低抵抗コンタクトおよびその形成方法

Inventor：
ツエ ヌエン

About ツエ ヌエン

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シエン テン スー

About シエン テン スー


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社

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シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド

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Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998191112
Publication number (International publication number)：1999087509
Application date： Jul. 07, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 導電性の高いICの金属層間配線の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明による金属層間の低抵抗ビア配線の形成方法は、側壁表面(42)を有し、誘電性中間層(36)を貫通して金属層(32)の選択されたエリア(44)を露出する集積回路(IC)ビアにおいて、金属層間の低抵抗ビア配線を形成する方法であって、a)該ビアの上にバリア層材料を共形的に堆積させることによって、該ビアの該側壁表面および該金属層の該選択されたエリアの上にバリア層(46)を形成する工程と、b)異方的にエッチングを行い、該ビアの該側壁表面(42)上に堆積した該バリア層は除去せず、該金属層の該選択されたエリア(44)上に堆積した該バリア層(46)を選択的に除去して、これにより、バリア表面側壁を有するビアが、該金属層(32)を続いて堆積される金属層(48)と直接接続するために準備される工程と、を包含する。
Claim (excerpt)：
側壁表面を有し、誘電性中間層を貫通して金属層の選択されたエリアを露出する集積回路(IC)ビアにおいて、金属層間の低抵抗ビア配線を形成する方法であって、a)該ビアの上にバリア層材料を共形的に堆積させることによって、該ビアの該側壁表面および該金属層の該選択されたエリアの上にバリア層を形成する工程と、b)異方的にエッチングを行い、該ビアの該側壁表面上に堆積した該バリア層は除去せず、該金属層の該選択されたエリア上に堆積した該バリア層を選択的に除去して、これにより、バリア表面側壁を有するビアが、該金属層を続いて堆積される金属層と直接接続するために準備される工程と、を含む金属層間の低抵抗ビア配線の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301
FI (2)：
H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 301 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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