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J-GLOBAL ID：200903028014954500

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
井上 啓司

About 井上 啓司


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006036898
Publication number (International publication number)：2007220742
Application date： Feb. 14, 2006
Publication date： Aug. 30, 2007
Summary：
【課題】エアギャップ構造において酸化に起因する配線信頼性劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る半導体装置は、基板1上に形成された第1配線5と、第1配線5の上層に形成され、第1配線5との間にエアギャップ20を介在させて配置された第2配線16と、エアギャップ20内に形成され、第1配線5と第2配線16とを接続するカーボンナノチューブ11とを有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成された第1配線と、 前記第1配線の上層に形成され、前記第1配線との間にエアギャップを介在させて配置された第2配線と、 前記エアギャップ内に形成され、前記第1配線と前記第2配線とを接続するカーボンナノチューブと を有する半導体装置。
IPC (2)：
H01L 23/522 ,  H01L 21/768
FI (1)：
H01L21/90 B
F-Term (41)：
5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH31 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK31 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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