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J-GLOBAL ID：200903055164078439

エアーギャップを選択的に形成する方法及び当該方法により得られる装置

Inventor：
ゲラルト・バイヤー

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ジャン・ポール・ゲノー・ドゥ・ミュシー

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カレン・メックス

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ビクター・サトクリフ

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Applicant, Patent owner：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

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テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド

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Agent (2)： 河宮 治 ,  石井 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004284815
Publication number (International publication number)：2005123607
Application date： Sep. 29, 2004
Publication date： May. 12, 2005
Summary：
【課題】半導体装置にエアーギャップを形成する。【解決手段】コンタクトホールを有する第1誘電体材料1を水素化されたシリコンオキシカーバイド(SiCO:H)で形成する。酸化剤を含んだUV/オゾン処理若しくは超臨界二酸化炭素などの酸化工程によりコンタクトホールの側壁に第1誘電体材料1より少ない炭素を含む変更された材料4に変換する。コンタクトホールにバリア層5及び銅6を形成する。その後、変更された材料4を、HFを用いたエッチングにより除去し、変更された材料4が有った場所にエアーギャップを形成する。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
半導体装置の積層体にエアーギャップ(7)を形成するための方法であって、 上記積層体が、第1エッチング化合物に対して耐性を有する第1誘電体材料(1)と、上記第1誘電体材料(1)上の第2誘電体材料(2)とを有する方法において、 上記方法は、 第2エッチング化合物により、上記積層体に少なくとも1つのホールをエッチング形成する工程と、 少なくとも局所的に、上記第1誘電体材料(1)中の上記ホールの側壁を、化学的及び/又は機械的に誘電体材料(4)に変換して、上記誘電体材料(4)を上記第1エッチング化合物によりエッチング可能とする工程と、 上記ホールに電気伝導性材料を析出させる工程と、 上記変換された誘電体材料を露出するため、上記伝導性材料の過剰堆積部分を取り除く工程と、 上記変換された誘電体材料を取り除くため、上記第1エッチング化合物を上記の変換された誘電体材料(4)に接触させる工程とを含むことを特徴とするエアーギャップ作製方法。
IPC (2)：
H01L21/768 ,  H01L21/3065
FI (2)：
H01L21/90 N ,  H01L21/302 105A
F-Term (61)：
5F004AA15 ,  5F004DA20 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB24 ,  5F004EB03 ,  5F033HH00 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR01 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033WW02 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第6,268,261号
  • 米国特許第6,599,814号
Cited by examiner (6)
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