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J-GLOBAL ID：200903028486838288
パターン誘発変位を補正するためのアラインメント又はオーバレイ用マーカ構造、当該マーカ構造を規定するためのマスク・パターン、及び当該マスク・パターンを使用するリトグラフ投影装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 岩本 行夫
, 吉田 裕
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004202539
Publication number (International publication number)：2005031681
Application date： Jul. 09, 2004
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：
【課題】レンズ収差、及びリトグラフ処理における光投影の限界の影響を低減するマーカ構造を画像化するためのマスク・パターンを提供する。【解決手段】リトグラフ投影で基板上にマーカ構造を画像化するためのマスク・パターンであって、マーカ構造は、使用に際して光学的アラインメント又はオーバレイを決定するように構成され、マーカ構造を定める構成部を備え、該構成部は複数の分割要素EL;MLに分割され、該分割要素はそれぞれデバイス・フィーチュアのサイズを実質的に有し、該マスク・パターンは分割要素EL;ML毎に区分形状を備えたマスク・パターンにおいて、マーカ構造に対するマスク・パターンは、区分形状の臨界部に配置されてリトグラフ投影において臨界部に生成する光学収差又は光学限界を抑制する少なくとも1つの補助フィーチュアEL_subを備え、該少なくとも1つの補助フィーチュアEL_subは、リトグラフ投影の解像度を下回るサイズを実質的に有することを特徴とするマスク・パターン。【選択図】図9
Claim (excerpt)：
リトグラフ投影で基板上にマーカ構造を画像化するためのマスク・パターンであって、マーカ構造は、使用に際して光学的アラインメント又はオーバレイを決定するように構成され、マーカ構造を定める構成部を備え、前記構成部は複数の分割要素(EL;ML)に分割され、前記分割要素はそれぞれデバイスフィーチュアのサイズを実質的に有し、前記マスク・パターンは分割要素(EL;ML)毎に区分形状を備えたマスク・パターンにおいて、
前記構成部の前記分割要素(EL;ML)への分割は、リトグラフ投影の走査方向(S)に垂直の方向にあることを特徴とするマスク・パターン。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F1/08 N
, H01L21/30 523
2H095BA07
, 2H095BB02
, 2H095BE03
, 5F046BA05
, 5F046CB17
, 5F046EA03
, 5F046EA07
, 5F046EA09
Cited by examiner (5)
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