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J-GLOBAL ID：200903044353655399

露光方法及び該露光方法に使用されるマスク

Inventor：
水谷 真士

About 水谷 真士


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 大森 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994134006
Publication number (International publication number)：1996008156
Application date： Jun. 16, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程において、平坦化によるディッシングの発生を抑制し、アライメント精度の低下を防止する。【構成】 所定幅以上の間隔を持つ凸部75A〜75D同士の間に微細なサブパターン74A〜74Eを有するウエハマーク76XをウエハW上に形成し、ウエハマーク76X上の平坦化膜79の表面におけるディッシング現象の発生を抑制することにより、ウエハマークの観察像の歪みを防止する。また、そのウエハマーク76Xを形成するためのレチクルは、所定幅以上の透過部又は暗部の間に微細な明暗パターンが配置されたレチクルマークを有する。
Claim (excerpt)：
基板上に凹凸パターンよりなる位置合わせ用のマークを形成する第1工程と;前記基板の前記位置合わせ用のマーク上及び他の領域上に被膜を形成する第2工程と;前記被膜を平坦化する第3工程と;該第3工程により平坦化された前記被膜上に感光材料を塗布してマスクパターンを露光する第4工程と;を有する露光方法において、前記第1工程で形成する前記位置合わせ用のマークは、所定幅以上の凸部の間に前記所定幅よりも小さいピッチの凹凸パターンが形成されたものであることを特徴とする露光方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521
FI (2)：
H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 508
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (12)
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