Pat
J-GLOBAL ID:200903044353655399
露光方法及び該露光方法に使用されるマスク
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大森 聡
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994134006
Publication number (International publication number):1996008156
Application date: Jun. 16, 1994
Publication date: Jan. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程において、平坦化によるディッシングの発生を抑制し、アライメント精度の低下を防止する。【構成】 所定幅以上の間隔を持つ凸部75A〜75D同士の間に微細なサブパターン74A〜74Eを有するウエハマーク76XをウエハW上に形成し、ウエハマーク76X上の平坦化膜79の表面におけるディッシング現象の発生を抑制することにより、ウエハマークの観察像の歪みを防止する。また、そのウエハマーク76Xを形成するためのレチクルは、所定幅以上の透過部又は暗部の間に微細な明暗パターンが配置されたレチクルマークを有する。
Claim (excerpt):
基板上に凹凸パターンよりなる位置合わせ用のマークを形成する第1工程と;前記基板の前記位置合わせ用のマーク上及び他の領域上に被膜を形成する第2工程と;前記被膜を平坦化する第3工程と;該第3工程により平坦化された前記被膜上に感光材料を塗布してマスクパターンを露光する第4工程と;を有する露光方法において、前記第1工程で形成する前記位置合わせ用のマークは、所定幅以上の凸部の間に前記所定幅よりも小さいピッチの凹凸パターンが形成されたものであることを特徴とする露光方法。
IPC (3):
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
FI (2):
H01L 21/30 502 M
, H01L 21/30 508
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (12)
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特開昭61-117832
-
特開昭56-122128
-
半導体基板、位置検出用マークの形成方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-068257
Applicant:株式会社日立製作所
-
結像特性計測方法及び該方法で使用されるマスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-264659
Applicant:株式会社ニコン
-
位置検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-227693
Applicant:株式会社ニコン
-
位置検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-154347
Applicant:株式会社ニコン
-
金属配線層の平坦化方法および平坦化装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-320379
Applicant:株式会社東芝
-
投影露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-336260
Applicant:株式会社ニコン
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-226716
Applicant:富士通株式会社
-
位置検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-219380
Applicant:株式会社ニコン
-
特開平4-273246
-
特開平2-272305
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Cited by examiner (12)
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位置検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-219380
Applicant:株式会社ニコン
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投影露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-336260
Applicant:株式会社ニコン
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位置検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-154347
Applicant:株式会社ニコン
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位置検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-227693
Applicant:株式会社ニコン
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半導体基板、位置検出用マークの形成方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-068257
Applicant:株式会社日立製作所
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結像特性計測方法及び該方法で使用されるマスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-264659
Applicant:株式会社ニコン
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特開昭61-117832
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特開昭56-122128
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特開平4-273246
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金属配線層の平坦化方法および平坦化装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-320379
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-226716
Applicant:富士通株式会社
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特開平2-272305
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