半導体熱処理方法および装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：村上友一 , 大久保操
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003003631
Publication number (International publication number)：2004221138
Application date： Jan. 09, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】高速加熱、高効率、高温加熱などの特徴をもつ誘導加熱方式を用いた半導体デバイスの高速熱処理ができるようにする。【解決手段】ウェハ16の熱処理に際して要求される温度分布方向に配列された複数の誘導加熱コイル22の周波数・電流位相を同期させて個別に電力制御可能として、前記温度分布方向に配列された個々の加熱コイルへの投入電力を制御することにより前記ウェハをその要求温度分布に調整するゾーンコントロールをなすようにした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ウェハの熱処理に際して複数の誘導加熱コイルの周波数・電流位相を同期させて個別に電力制御して、所定の温度分布を達成すべく個々の加熱コイルへの投入電力を制御することにより前記ウェハをその要求温度分布に調整するゾーンコントロールをなすようにしたことを特徴とする半導体熱処理方法。

IPC (2)：

H01L21/324 , H01L21/205

FI (3)：

H01L21/324 J , H01L21/324 T , H01L21/205

F-Term (5)：

5F045AA03 , 5F045BB03 , 5F045DP15 , 5F045DP19 , 5F045EK01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

CVDリアクタ用ガス注入システム及びガス注入方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-213721 Applicant：コンセプト・システムズ・デザイン・インコーポレイテッド
特開昭59-124557
特開昭52-026689

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