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J-GLOBAL ID：200903028814679940

シリサイドを使用した合金の高温アグロメレーションを阻止する方法および構造

Inventor： シリル・カブラル・ジュニア ,  ロイ・アーサー・カラザース ,  ジェームズ・マッケル・エドウィン・ハーパー ,  ポール・マイケル・コズロウスキー ,  クリスチャン・レイヴォー ,  ジョーゼフ・スコット・ニューバーグ ,  ロネン・アンドリュー・ロヴ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001055239
Publication number (International publication number)：2001274112
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 シリサイドを使用した合金の高温アグロメレーションを阻止する方法および構造を提供すること。【解決手段】 構造中でソース・ドレイン領域を活性化する前に、アニールで金属シリサイドをつくることが出来る金属に、少なくとも1つの合金化元素を加え合金化することによって、アグロメレーションのない金属合金シリサイド・コンタクトが得られる。デバイスのソース・ドレイン領域を活性化するのに使用される高温アニールに耐える金属シリサイド・コンタクトを有する相補型金属酸化物半導体(CMOS)デバイスが、シリサイドを形成するのに使用される初期の金属層に対して少なくとも1つの合金元素を追加することによって提供される。

Claim (excerpt)：

実質的にアグロメレーションされない金属合金シリサイド・コンタクトを形成する方法であって、(a)活性化ソース・ドレイン領域を含まないシリコン含有基板の一部の上に、CoまたはTi、および合金化添加物を含む、金属合金層を形成する段階と、(b)前記金属合金層の一部を、前記金属合金層と比べてエッチングすることが困難な金属合金シリサイド層に転換するのに有効な温度で、前記金属合金層をアニールする段階と、(c)段階(b)で転換されずに残存するすべての金属合金層を除去する段階と、(d)任意選択で、段階(b)で形成された金属合金シリサイド層を低抵抗相に転換するのに有効な温度で第2のアニールを実施する段階と、(e)約900°C以上の温度でアニールすることによって、前記シリコン含有基板中に活性化ソース・ドレイン領域を形成する段階とを含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/08 321 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-162154   Applicant：株式会社東芝
• 金属-シリコン接触バリア被膜用の平坦な界面を有する接点及びその生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-028016   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• コバルトシリサイド膜を備えた半導体装置の製造方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-290184   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-336741   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-264697   Applicant：三洋電機株式会社