強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996279514
Publication number (International publication number)：1998120494
Application date： Oct. 22, 1996
Publication date： May. 12, 1998
Summary：

【要約】【課題】単結晶半導体基板上に高品質のエピタキシャルまたは高配向のエピタキシャル薄膜を形成する。【解決手段】本発明の第1の特徴は、スパッタリング装置内にMgO薄膜形成用のターゲットおよび ABO3型ペロブスカイト強誘電体薄膜形成用の複数のターゲットを用意する工程と、前記スパッタリング装置内で、単結晶半導体基板1上に、スパッタリング法によりバッファ層としてのMgO薄膜2を形成するバッファ層形成工程と、スパッタリング装置を開くことなく連続してスパッタリング法により、前記バッファ層上にABO3型ペロブスカイト強誘電体薄膜3を形成する強誘電体薄膜形成工程とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

スパッタリング装置内に MgO薄膜形成用のターゲットおよびABO3型ペロブスカイト強誘電体薄膜 (A:IA族、IIA族、IIIA族、IVB族およびVB族から選択される元素、B:IVA族およびVA族から選択される元素)形成用の複数のターゲットを用意する工程と、前記スパッタリング装置内で、半導体単結晶基板上に、スパッタリング法によりバッファ層としてのMgO薄膜を形成するバッファ層形成工程と、スパッタリング装置を開くことなく連続して、スパッタリング法により、前記バッファ層上に ABO3型ペロブスカイト強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜形成工程とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (12)：

C30B 29/22 , C30B 23/08 , H01B 3/12 301 , H01L 21/203 , H01L 21/316 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 37/02 , H01L 41/08 , H01L 41/18 , H01S 3/18

FI (11)：

C30B 29/22 Z , C30B 23/08 P , H01B 3/12 301 , H01L 21/203 S , H01L 21/316 Y , H01L 27/10 451 , H01L 37/02 , H01S 3/18 , H01L 27/10 651 , H01L 41/08 D , H01L 41/18 101 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

酸化物強誘電薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-305126 Applicant：株式会社ニコン
誘電体薄膜の製造方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215816 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平3-082749

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