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J-GLOBAL ID：200903029138272811

プラズマエッチング方法

Inventor： 加藤 和也 ,  小野 勝彦 ,  水野 秀樹 ,  小笠原 正宏 ,  北村 彰規 ,  稲田 靖 ,  岡本 晋 ,  小林 典之
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004238250
Publication number (International publication number)：2005109444
Application date： Aug. 18, 2004
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】 レジストマスクに形成された互いに隣接するホールや溝部などの凹部の間隔が200nm以下である基板に対してエッチングを行うにあたって、凹部の内周面のうねりを抑え、被エッチング部位例えばSiO2膜のホールのストライエーションを低減すること。【解決手段】 C4F8ガス、C4F6ガス及びC5F8ガスなどの活性種形成用のガスと、キセノンガス及び例えばアルゴンガスを含む不活性ガスと、を含む処理ガスをプラズマ化してエッチングを行う。この場合キセノンガスとアルゴンガスとの総流量に対するキセノンガスの流量の比率は例えば0.1以上に設定される。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

レジストマスクに形成された互いに隣接する凹部の間隔が200nm以下のパターンを含む基板に対してプラズマによりエッチングを行う方法において、 炭素及びフッ素を含む化合物からなる活性種生成用のガスと、キセノンガスを含む不活性ガスと、を含む処理ガスをプラズマ化してエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

FI (4)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/28 L ,  H01L21/302 301Z ,  H01L21/90 C

F-Term (27)：

4M104AA01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104HH14 ,  5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• エッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-085575   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-348662   Applicant：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所

Cited by examiner (2)

• 自己整合スペ-サを有する半導体構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-372515   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-230600   Applicant：日本電気株式会社