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J-GLOBAL ID：200903079365548022

自己整合スペ-サを有する半導体構造の製造方法

Inventor： マイケル・アーマコスト ,  サンドラ・ジー・マルホトラ ,  ティナ・ワーグナー ,  リチャード・ワイズ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999372515
Publication number (International publication number)：2000208499
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 改良された自己整合スペーサを形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に導電性のゲート構造を設け、その上に第1の誘電性ゲートキャップ材料の層および第2の誘電性材料の層を設ける。自己整合スペーサが作り込まれる第2の誘電性材料の層に、高いドーパントレベルの領域を設ける。ドーパントにより選択的エッチングが生じ、自己整合導電スペーサが画定される。

Claim (excerpt)：

半導体基板を設けるステップと、半導体基板上に導電性ゲート構造を設けるステップと、ゲート構造上に誘電性ゲート・キャップ材料の第1の層を設けるステップと、誘電性ゲート・キャップ材料の上に位置する誘電性材料の第2の層を設けるステップと、誘電性材料の第2の層中の、自己整合スペーサを置くべき選択された位置におけるドーパント・レベルが増大するようにドーパントを設けるステップと、ドーパントに対して選択性のあるエッチャントにより誘電性材料の第2の層をエッチングして、自己整合誘電スペーサを画定するステップを含む、自己整合誘電スペーサを有する半導体構造の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-001966   Applicant：ソニー株式会社
• エッチング方法及び該エッチング方法を用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-181580   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-156981   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-186435   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-278921   Applicant：株式会社東芝
• 特許第5369061号