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J-GLOBAL ID:200903029191089000

バリアフィルムの製造方法およびこれに使用するプラズマCVD装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 米田 潤三 ,  皿田 秀夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004031691
Publication number (International publication number):2005219427
Application date: Feb. 09, 2004
Publication date: Aug. 18, 2005
Summary:
【課題】極めて高いガスバリア性を有し、透明性が高く、柔軟性、耐候性にも優れ、かつ、種々の後加工適性に必要な耐熱性、耐薬品性を有するバリアフィルムをより高い生産性で製造可能な製造方法と、これに使用するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】分子内にアルコキシ基の酸素と珪素との結合をもつ第1の有機珪素化合物と、分子内に炭素-珪素結合をもつ第2の有機珪素化合物とを原料としてプラズマCVD法により酸化炭化珪素膜(SiOC膜)または酸化窒化炭化珪素膜(SiONC膜)を基材フィルム上に形成するものであり、成膜時の電極投入電力を、第2の有機珪素化合物のみを原料としたときの電極投入許容電力よりも高く設定する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
分子内にアルコキシ基の酸素と珪素との結合をもつ第1の有機珪素化合物と、分子内に炭素-珪素結合をもつ第2の有機珪素化合物とを原料とし、プラズマCVD法により、前記第2の有機珪素化合物のみを原料としたときの電極投入許容電力よりも高い電力を電極に投入して、酸化炭化珪素膜(SiOC膜)または酸化窒化炭化珪素膜(SiONC膜)を基材フィルム上に形成することを特徴とするバリアフィルムの製造方法。
IPC (2):
B32B9/00 ,  C23C16/42
FI (2):
B32B9/00 A ,  C23C16/42
F-Term (35):
4F100AA12B ,  4F100AA16B ,  4F100AA20B ,  4F100AK41A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100DJ02 ,  4F100EH662 ,  4F100EJ38A ,  4F100JB01 ,  4F100JJ03 ,  4F100JK13 ,  4F100JL09 ,  4F100JM02B ,  4F100JN01 ,  4F100JN18B ,  4F100YY00B ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030JA16 ,  4K030LA01 ,  4K030LA24
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
  • ガスバリアフィルム
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-304262   Applicant:大日本印刷株式会社
  • ガスバリアフィルム
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-173355   Applicant:大日本印刷株式会社
  • 積層フィルム
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-086831   Applicant:大日本印刷株式会社, 高井治

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