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J-GLOBAL ID：200903029417250771

シリコン酸化膜の形成方法および形成用組成物

Inventor： 志保 浩司 ,  加藤 仁史
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001045173
Publication number (International publication number)：2002246384
Application date： Feb. 21, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 緻密なシリコン酸化膜を有するデバイスを製造するために好適に使用されるシリコン酸化膜の形成方法、およびその方法に使用するための組成物を提供すること。【解決手段】 シリコン酸化膜の形成方法は、非酸化性雰囲気下で式SinRmで表されるポリシラン化合物を含有する塗膜を形成し、次いで該塗膜を酸化処理することを特徴とする。上記方法に使用するための組成物は、式SinRmで表されるポリシラン化合物および溶剤を含有する。

Claim (excerpt)：

非酸化性雰囲気下で式SinRm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜2n+2の整数を表しそして複数個のRは、互いに独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲンを表す)で表されるポリシラン化合物を含有する塗膜を形成し、次いで該塗膜を酸化処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/312

FI (4)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  C09D183/16 ,  H01L 21/312 C

F-Term (19)：

4J038DL031 ,  4J038KA06 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PC03 ,  5F058AA05 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH01 ,  5F058BA08 ,  5F058BA10 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置の保護膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-024635   Applicant：富士電機株式会社
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-367548   Applicant：日本電気株式会社
• 絶縁膜、絶縁膜パターン、薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び、液体パターン形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-011302   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-242933
  
• 特開平3-242933
  
• シリコン膜形成用の高次シラン含有溶液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-342682   Applicant：昭和電工株式会社
• 絶縁膜の形成方法および絶縁膜パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-331997   Applicant：株式会社東芝