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J-GLOBAL ID：200903029441790655

発光装置

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
荒井 康行

About 荒井 康行


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001345439
Publication number (International publication number)：2002208477
Application date： Nov. 09, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】画素部は熱応力が加えられることになり、画素部を形成する各層に熱応力が働き、その力が大きいとクラック(ひび割れ)が発生するという不良をもたらす。本発明は、このような応力を緩和することが可能な画素構造を提供することを目的とする。【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式の発光装置において、薄膜トランジスタの上層には、窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第3絶縁層と、前記第3絶縁層上と炭素を主成分とする第4絶縁層との間に、陽極と、有機化合物から成る層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、絶縁材料から成る逆テーパー状の隔壁層の間に形成する。
Claim (excerpt)：
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第1絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第2絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上層には、窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第3絶縁層と、炭素を主成分とする第4絶縁層と、前記第3絶縁層と第4絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、絶縁材料から成る隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
IPC (6)：
H05B 33/04 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (6)：
H05B 33/04 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z
F-Term (30)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB05 ,  3K007BB07 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB00 ,  5C094AA31 ,  5C094AA33 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
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