半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子および表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074720
Publication number (International publication number)：1999274506
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】新しい多孔質シリコンを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン化合物(101)が溶媒に溶解された流動体(100)を基板に塗布し、流動体(100)にエネルギーを加えてシリコン化合物における結合を変化させアモルファスシリコンの粒塊(101)にし、アモルファスシリコンの粒塊(101)に一定時間エネルギーを加えて結晶化させ、多孔質シリコンの発光層(103)を形成する。

Claim (excerpt)：

多孔質シリコンで構成された発光層を備える半導体発光素子の製造方法であって、シリコン化合物が溶媒に溶解された流動体を基板に塗布する工程と、塗布された前記流動体にエネルギーを加えて前記シリコン化合物における結合を変化させアモルファスシリコンの粒塊を生成する工程と、前記アモルファスシリコンの粒塊に一定時間エネルギーを加えて結晶化させ、多孔質シリコンの前記発光層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (9)：

H01L 29/786 , B41J 2/44 , B41J 2/45 , B41J 2/455 , H01L 21/20 , H01L 27/15 , H01L 33/00 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (7)：

H01L 29/78 622 , H01L 21/20 , H01L 27/15 B , H01L 33/00 A , H05B 33/10 , H05B 33/14 Z , B41J 3/21 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049022 Applicant：キヤノン株式会社
Si発光装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-138333 Applicant：株式会社日立製作所
シリコン発光表示デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-238559 Applicant：新技術事業団

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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