誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松田正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293048
Publication number (International publication number)：1999131238
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】誘電体成分を含むミストを基板に導き誘電体膜を均一に形成させる。また、ミストが付着する基板部以外のプロセスチャンバー内部のメンテナンスの低減及びスループットの向上を図る。さらに、微細パターンにおいての段差被覆性を向上させる。【解決手段】プロセスチャンバー14内部のミスト噴出手段内部に、気流の流れを発生する回転する羽根を内部に持つシャワーヘッド15を採用する。また、基板19を設置するステージに、基板を置く部分の直下の内部ステージ16とその回りの外部ステージ17を設置し、内部ステージ16と外部ステージ17を同方向に回転させる機構を採用する。また、プロセスチャンバー内部壁や基板ステージ等の各部材の材料をミストの付着しにくい石英とする。さらに、キャリアガス配管の一部にミスト径を小さくするフィルターを取り付ける。

Claim (excerpt)：

誘電体を含む成膜用ミストを基板上に堆積させて成膜させるためのプロセスチャンバーと、前記プロセスチャンバーの内部に配置され、前記基板を載せて回転するステージと、前記ステージの上方に配置され、前記成膜用ミストを前記基板上に導入するシャワーヘッド型のミスト噴出手段とを備えることを特徴とする誘電体薄膜形成装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

処理方法及び処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-166202 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
液体原料用CVD装置、および液体原料を用いたCVDプロセスと、その液体原料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-057359 Applicant：三菱電機株式会社
処理装置および処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-306437 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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