強磁性トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：皿田秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999316443
Publication number (International publication number)：2001057450
Application date： Nov. 08, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】生産性および品質の安定性に優れ、TMR効果が格段と優れる強磁性トンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】トンネルバリア層30と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された第1の強磁性層20と第2の強磁性層40が積層された多層膜構造3を有する強磁性トンネル磁気抵抗効果素子1であって、前記トンネルバリア層は、非磁性金属層をラジカル酸化法にて酸化処理された酸化膜として構成する。

Claim (excerpt)：

トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された第1の強磁性層と第2の強磁性層が積層された多層膜構造を有する強磁性トンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネルバリア層は、非磁性金属層をラジカル酸化法にて酸化処理した非磁性酸化膜であることを特徴とする強磁性トンネル磁気抵抗効果素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-298567 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-298566 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-318790 Applicant：富士通株式会社

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