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J-GLOBAL ID：200903029566598918

基板加熱・冷却機構

Inventor：
中川 敏之

About 中川 敏之


Applicant, Patent owner：
日電アネルバ株式会社

About 日電アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993341834
Publication number (International publication number)：1995169824
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 基板支持機構におけるガスを伝熱媒体として使用する基板加熱・冷却機構であって、安価に製作できる簡易な形状と構造を有し、かつ基板に均一度の高い面内温度分布を持たせる。【構成】 処理対象である基板2を設置するための基板ステージ3と、基板ステージに熱を与える加熱源7と、基板ステージの熱を逃がす冷却部9とを含み、さらに基板ステージ1は伝熱媒体として作用するガスを流すためのガス導入路10を有する基板加熱・冷却機構であって、ガス導入路のガス吹出し孔10aが基板ステージの基板設置面に1つ形成され、基板ステージと基板の間の接触領域に形成される微小隙間をガスの拡散流路とするように構成される。基板ステージは所定の金属を用いて均熱板4を付加して作製される。またセラミックスを用いて基板ステージを作ることも可能になった。
Claim (excerpt)：
処理対象である基板を設置するための基板ステージと、前記基板ステージに熱を与える加熱源と、前記基板ステージの熱を逃がす冷却部とを含み、前記基板ステージは伝熱媒体として作用するガスを流すためのガス導入路を有する基板加熱・冷却機構において、前記ガス導入路のガス吹出し孔が前記基板ステージの基板設置面に1つ形成され、前記基板ステージと前記基板の間の接触領域に形成される微小隙間を前記ガスの拡散流路としたことを特徴とする基板加熱・冷却機構。
IPC (4)：
H01L 21/68 ,  B24C 3/32 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
  • 特開平4-071216
  • 特開平4-087330
  • 特開昭63-093127
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