化合物半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338419
Publication number (International publication number)：1997180998
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体装置に関し、エピタキシャル成長層にクラッキングが発生することを防止し、高品質の化合物半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1及び半導体エピタキシャル層2の少なくとも一方が熱膨張係数に異方性を有すると共に、半導体基板1の主面の面膨張係数βと、この主面に面する半導体エピタキシャル層2の面膨張係数αとが、(β-α)・ΔT≦1.4×10-3の関係を満たす様に主面を選定する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に異種半導体エピタキシャル層を設けた化合物半導体装置において、前記半導体基板及び半導体エピタキシャル層の少なくとも一方が熱膨張係数に異方性を有すると共に、前記半導体基板の主面の面膨張係数βと、前記主面に面する半導体エピタキシャル層の面膨張係数αとが、結晶成長温度から室温までの温度差をΔTとした場合に、(α-β)・ΔT≦1.4×10-3の関係を満たすことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/20 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-021159 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013393 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-253784 Applicant：三洋電機株式会社

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