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J-GLOBAL ID：200903029840869400

窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法

Inventor：
中原 健

About 中原 健


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005377762
Publication number (International publication number)：2007180302
Application date： Dec. 28, 2005
Publication date： Jul. 12, 2007
Summary：
【課題】放熱性を維持しつつ、半導体層と支持基板との間の熱膨張率の違いによって発生する半導体層の亀裂等を防止するために、応力を十分吸収できるような接合層を備えた窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法を提供する。【解決手段】半導体1を支持する導電性の支持基板4が、第1支持基板2と第2支持基板3とによって構成されている。半導体1が第2支持基板3上にのみ接合されており、第1支持基板2上に渡って接合されていない。第1支持基板2と第2支持基板3とは接触又は接合されている。また、第1支持基板2の材料は、第2支持基板3の材料よりも熱膨張率が大きいので、第2支持基板3の横方向への膨張が抑制され、半導体1に引っ張り応力が加わらない。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくともn側電極、n型窒化物半導体層、発光領域、p型窒化物半導体層、p側電極とを順に備えた半導体積層体が応力緩和接合層を介して支持基板上に接合された窒化物半導体発光素子において、 前記応力緩和接合層は、非光沢Auメッキ層を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 C
F-Term (9)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
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