GaNベースの半導体デバイスを製造する方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006301854
Publication number (International publication number)：2007073986
Application date： Nov. 07, 2006
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】GaNベースの半導体デバイスのための技術的に簡単かつ安価な製造方法を提供し、高められた発光効率を有する半導体デバイスのための製造方法を開発すること【解決手段】GaNベースの多数の層(4)を、基板ボディ(1)と介在層(2)とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ(1)の熱膨張係数が、GaNベースの層(4)の熱膨張係数に近似しているか又はGaNベースの層(4)の熱膨張係数より大きく、GaNベースの層(4)を介在層(2)上に析出させる。有利には、介在層及び基板ボディを、ウェハボンディング法によって張り合せる。【選択図】図1c

Claim (excerpt)：

GaNベースの多数の層を有する半導体デバイスをエピタキシャル成長によって製造する方法であって、 GaNベースの層(4)を、基板ボディ(1)と介在層(2)とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ(1)の熱膨張係数が、GaNベースの層(4)の熱膨張係数に近似しているか又はGaNベースの層(4)の熱膨張係数よりも大きく、かつGaNベースの層(4)を介在層(2)上に析出させることを特徴とする、GaNベースの半導体デバイスを製造する方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (3)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/343 610

F-Term (15)：

5F041CA40 , 5F041CA77 , 5F045AB14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045DA53 , 5F045DA69 , 5F045DB02 , 5F045HA17 , 5F173AH22 , 5F173AQ02 , 5F173AQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

US5786606

Cited by examiner (21)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-051141 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-222090 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-148470 Applicant：日亜化学工業株式会社

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