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J-GLOBAL ID：200903088432208214

半導体発光素子、その製造方法および発光ダイオード

Inventor：
竹内 良一

About 竹内 良一

, 
鍋倉 亙

About 鍋倉 亙


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (3)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004065748
Publication number (International publication number)：2004297056
Application date： Mar. 09, 2004
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：
【課題】 700°C以下の低温、低圧力の接合条件においても接着力の高く、耐熱性に優れた接着層を見出し、接合時に発生するストレスを減少でき、安定生産できるようにする。【解決手段】 この発明の半導体発光素子100は、発光部20aを含む半導体層20と、発光部20aの発光波長に対して透明な透明基板40と、半導体層20と透明基板40とを接合する低融点ガラス層30と、を含むことを特徴としている。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
発光部を含む半導体層と、 前記発光部の発光波長に対して透明な透明基板と、 前記半導体層と透明基板とを接合する低融点ガラス層と、 を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (1)：
H01L33/00 N
F-Term (19)：
5F041AA31 ,  5F041AA37 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA91 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DB09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特許第3230638号公報
  • 発光ダイオードの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-064528   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
  • 発光ダイオードとその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-107502   Applicant：國聯光電科技股ふん有限公司
Cited by examiner (8)
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