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J-GLOBAL ID：200903033380154936

光半導体装置及びその製造方法

Inventor： 秋山 知之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001311046
Publication number (International publication number)：2003124574
Application date： Oct. 09, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 利得帯域の広い光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 複数の量子ドット22を有する光半導体装置であって、複数の量子ドットの大きさが不均一である。

Claim (excerpt)：

複数の量子ドットを有する光半導体装置であって、前記複数の量子ドットの大きさが不均一であることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/203

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/203 M

F-Term (17)：

5F073AA07 ,  5F073AA46 ,  5F073AA75 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA06 ,  5F073EA29 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103LL17 ,  5F103PP06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体波長可変レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-100332   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体量子ドット素子の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-290370   Applicant：富士通株式会社
• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-194812   Applicant：富士通株式会社
• 半導体量子ドット素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-184832   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-370631   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-372196   Applicant：富士通株式会社