半導体装置の製造装置及び製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中澤昭彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997328572
Publication number (International publication number)：1999162876
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来は、多結晶シリコン膜表面に半球状の結晶であるグレイン(HSG)を成長させるため、回転式の乾燥装置によって表面の水分を乾燥除去していた。しかしこの方法では、多結晶シリコン膜表面にウォーターマークが発生し、HSGの成長が阻害され、容量部の容量値を増大することができなかった。【解決手段】アンモニア過酸化水素水で加熱洗浄され、塩酸過酸化水素水で加熱洗浄され、希釈フッ酸溶液に浸漬されたシリコンウェハーが、純水によってリンスされた後、多結晶シリコン膜表面をイソプロピルアルコールによって乾燥させる。

Claim (excerpt)：

ウェハの多結晶シリコン膜に半球状のグレインを有する半導体装置の製造装置において、多結晶シリコン膜に半球状のグレインを形成する前に、ウェット処理されたウェハをイソプロピルアルコールにより乾燥させる乾燥部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/285 , H01L 21/205 , H01L 21/304 361 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 21/285 C , H01L 21/205 , H01L 21/304 361 V , H01L 27/10 621 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-228330
半導体記憶装置の容量素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-103748 Applicant：日本電気株式会社
半導体ウェーハの洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-333700 Applicant：新日本製鐵株式会社

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