半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001200183
Publication number (International publication number)：2002100805
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板側からの貫通転位などを抑制しつつ且つ工程の増加もなく良好な結晶性を以って製造可能であり、同時に、チップ構造の微細化も可能とする半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に該基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面(例えばS面)を有する結晶層を形成し、傾斜結晶面に平行な面内に延在する第1導電型層、活性層、及び第2導電型層を結晶層に形成する。このとき、傾斜結晶面に平行な面内に延在する反射面を形成してもよい。基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層は結晶性が良好であり、また傾斜していることから、貫通転位を防止し素子の微細化や素子の間を分離するのも容易である。

Claim (excerpt)：

基板上に該基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、前記傾斜結晶面に平行な面内に延在する第1導電型層、活性層、及び第2導電型層を前記結晶層に形成してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (40)：

5F041AA40 , 5F041CA03 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F041CA93 , 5F041CB15 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA58 , 5F045DB01 , 5F045HA16 , 5F045HA18 , 5F045HA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-179489 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
炭化ケイ素発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-148836 Applicant：三洋電機株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-245958 Applicant：サンケン電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Appl.Phys.Lett.

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