集積回路の製造における銅被覆のためのバリア層

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001358692
Publication number (International publication number)：2002231723
Application date： Nov. 26, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】導電性であるが有効なバリア層を有する集積回路を提供する。【解決手段】本発明によれば、非晶質状態に形成された耐熱金属シリコン窒化化合物のような、耐熱金属シリコン化合物であるバリア層20が提供される。バリア層は、比較的低い組成比のシリコン、及び、もし存在すれば窒素を有し、薄膜の非晶質形態によってもたらされる高い拡散バリア性と組み合わさった、低い比抵抗を提供する。バリア層の開示された例は、タンタル、シリコン及び窒素の化合物である。バリア層20は、銅被覆22の下層として使用することができる。また、バリア層は、強誘電性コンデンサの下部プレートの一部または全てに使用することができる。

Claim (excerpt)：

基板の半導体表面に形成された集積回路構造体であって、表面近傍に形成され、その中に開口部を有する第一絶縁層、第一絶縁層の開口部内に配され、耐熱金属及びシリコンの化合物を含み、耐熱金属及びシリコンの合計に対するシリコンの組成比が約20%以下であり、実質的に非晶質であるバリア層、及びバリア層上の第一絶縁層の開口部内に配された金属導体、を含む、上記集積回路構造体。

IPC (5)：

H01L 21/3205 , C23C 14/06 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 27/105

FI (5)：

C23C 14/06 E , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 Z , H01L 21/88 M , H01L 27/10 444 B

F-Term (54)：

4K029AA06 , 4K029BA52 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DB03 , 4K029DB05 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104DD39 , 4M104DD42 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH05 , 5F033HH11 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP16 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033WW04 , 5F033XX28 , 5F083GA25 , 5F083HA02 , 5F083JA15 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR06 , 5F083PR22 , 5F083PR25 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

バリヤメタル層及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-176723 Applicant：東京エレクトロン株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-246690 Applicant：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-125758 Applicant：株式会社東芝

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