バリヤメタル層及びその形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998176723
Publication number (International publication number)：1999354470
Application date： Jun. 09, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層を提供する。【解決手段】シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層64と銅層68,70との間に介在されてシリコンの吸い上げを防止するためのバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてTiSiN膜66を用いる。これにより、銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層とする。

Claim (excerpt)：

シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層と銅層との間に介在されたバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてTiSiN膜を用いたこを特徴とするバリヤメタル層。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/285 301 T , H01L 21/285 C , H01L 21/302 F , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-042612 Applicant：株式会社東芝
CVD装置を用いたTiN膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-162426 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
特開平4-155827

Show all

Return to Previous Page