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J-GLOBAL ID：200903030100735603

有機EL表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法

Inventor：
野澤 陵一

About 野澤 陵一

, 
木村 睦

About 木村 睦

, 
井上 聡

About 井上 聡


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000199982
Publication number (International publication number)：2001332383
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】特性のばらつきの少ないトランジスタ(単結晶半導体を活性層とするトランジスタ)を用いたアクティブマトリックス型有機EL表示体を大面積の透明基板上に安価で作製する。【解決手段】微細構造の単位をシリコンウエハ上に多数個並列に形成する。この単位は、有機EL素子(画素)35の駆動素子(スイッチングトランジスタ34、ドライビングトランジスタ37、容量36)を含む。このシリコンウエハを分割して単位ブロック39を作製する。この単位ブロック39をガラス基板(表示用基板)52の所定位置に配置する。各画素35用の駆動素子を、信号線31、電源線32、走査線33、容量線38で接続する。
Claim (excerpt)：
有機EL素子とこの有機EL素子を駆動する半導体素子とを表示用基板上に備えた有機EL表示体の製造方法において、前記半導体素子を有する単位ブロックを、表示用基板の所定位置に配置する工程を有することを特徴とする有機EL表示体の製造方法。
IPC (8)：
H05B 33/10 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14
FI (7)：
H05B 33/10 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 27/12 B ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 627 D
F-Term (26)：
3K007AB04 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007CA03 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5C094AA14 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA60 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD21 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110QQ16
Patent cited by the Patent：
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Cited by examiner (11)
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