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J-GLOBAL ID：200903030144133279

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

Inventor： 倉島 羊平 ,  梅津 一成 ,  伊東 春樹
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000236811
Publication number (International publication number)：2002050738
Application date： Aug. 04, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 電気的な接続を高い信頼性を以て、容易に図ることができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、電極14を有する半導体素子10に、前記電極14の位置で貫通する第1の貫通穴18を形成する第1工程と、前記第1の貫通穴18の内側を含む領域に、絶縁材料22を、前記絶縁材料22を貫通する第2の貫通穴24を備えるように設ける第2工程と、前記第1の貫通穴18の内側で、前記絶縁材料22を貫通する第2の貫通穴24を通るように導電部材28を設ける第3工程と、を含む。

Claim (excerpt)：

電極を有する半導体素子に、前記電極の位置で貫通する第1の貫通穴を形成する第1工程と、前記第1の貫通穴の内側を含む領域に、絶縁材料を、前記絶縁材料を貫通する第2の貫通穴を備えるように設ける第2工程と、前記第1の貫通穴の内側で、少なくとも前記絶縁材料を貫通する第2の貫通穴内に導電部材を設ける第3工程と、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12 501

FI (2)：

H01L 23/12 501 C ,  H01L 25/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-086152   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体チップおよびマルチチップ半導体モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-019271   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052205   Applicant：ローム株式会社
• 特開昭63-202940
  
• 特開平2-001152
  
• 特開平4-356956
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219109   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置と半導体モジュールおよびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-118294   Applicant：株式会社東芝
• IC、ICの製造方法、3次元実装IC、3次元実装ICの製造方法、及びこれらIC又は3次元実装ICを組み込んだ電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-234554   Applicant：キヤノン株式会社