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J-GLOBAL ID：200903030270399012

レジストパターン形成方法

Inventor：
渡邉 聡

About 渡邉 聡

, 
小林 知洋

About 小林 知洋


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002198362
Publication number (International publication number)：2003316027
Application date： Jul. 08, 2002
Publication date： Nov. 06, 2003
Summary：
【要約】【解決手段】 (a)基板上に、【化1】(式中、X1、X2は-O-、-S-、-NR-、-PR-又は-CR2-、RはH又はアルキル基、mは0〜3の整数)の単位を主鎖に側鎖に酸不安定基を有する重合体又は共重合体と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する第一工程(b)レジスト膜をプリベークする第二工程(c)パターン露光を行う第三工程(d)ポストエクスポージャーベークする第四工程(e)このレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する第五工程(f)レジストパターンをポストベークすることによってレジストパターンを熱フローさせる第六工程を有するレジストパターン形成方法。【効果】 本発明によれば、半導体LSIの集積度の向上、即ち加工の微細度の向上をはかることができる。
Claim (excerpt)：
(a)基板上に、下記一般式[I]【化1】(式中、X1、X2は-O-、-S-、-NR-、-PR-、又は-CR2-から選ばれる。Rは水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を示す。mは0又は1〜3の整数を表す。)で表される構造単位を主鎖に、かつ側鎖に酸不安定基を部分的に有する重合体又は共重合体であるベース樹脂と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する第一工程と、(b)上記レジスト膜をプリベークする第二工程と、(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う第三工程と、(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする第四工程と、(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する第五工程と、(f)上記レジストパターンをポストベークすることによってレジストパターンを熱フローさせる第六工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/40 511 ,  C08G 61/00 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F 7/40 511 ,  C08G 61/00 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (56)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA33 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096HA01 ,  2H096HA05 ,  4J032BA02 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA07 ,  4J032BA08 ,  4J032BA09 ,  4J032BA12 ,  4J032BA18 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BB05 ,  4J032BB09 ,  4J032BD01 ,  4J032CA24 ,  4J032CA25 ,  4J032CA33 ,  4J032CA35 ,  4J032CA36 ,  4J032CA43 ,  4J032CA45 ,  4J032CA68 ,  4J032CB01 ,  4J032CB04 ,  4J032CB05 ,  4J032CB12 ,  4J032CC02 ,  4J032CC03 ,  4J032CE03 ,  4J032CE05 ,  4J032CF03 ,  4J032CG06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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