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J-GLOBAL ID：200903030374718640

半導体装置

Inventor：
竹田 重利

About 竹田 重利

, 
江間 泰示

About 江間 泰示


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000155586
Publication number (International publication number)：2001338991
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】製造が容易で高集積化の可能な、メモリセルと論理セルとを含む基本単位を同一半導体基板上に複数個有する半導体装置を提供する。【構成】半導体装置は、半導体基板上に形成され、メモリ素子と論理素子とを含む同一又は対称的な複数の単位構造を有する半導体装置であって、各単位構造が、第1の活性領域に形成されたDRAMセルと、第2の活性領域に形成され、第2、第3のゲート電極とシリサイド層を備えたソース/ドレイン領域とを有する論理素子用直列接続トランジスタと、その1対のソース/ドレイン領域に接続された第1、第2の信号線と、第2のゲート電極に接続された第3の信号線と、DRAMキャパシタの蓄積電極下方に形成され、蓄積電極と第3のゲート電極を接続する導電性接続部材とを有する。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、メモリ素子と論理素子とを形成し、同一又は対称的な平面形状を有する複数の単位構造とを有する半導体装置であって、各単位構造が前記半導体基板の表面に形成され、第1および第2の活性領域を画定するアイソレーション絶縁領域と、前記第1の活性領域上を横断して形成された第1のゲート電極と、前記第1の活性領域内で該第1のゲート電極の両側に形成された1対の第1のソース/ドレイン領域とを有する転送トランジスタと、前記第1のゲート電極に接続されたワード線と、前記1対の第1のソース/ドレイン領域の一方に接続されたビット線と、前記第2の活性領域上を横断して形成された第2および第3のゲート電極と、前記第2の活性領域内で該第2、第3のゲート電極の中間に形成された接続ノードと、該第2および第3のゲート電極の外側に形成された1対の第2のソース/ドレイン領域と、前記接続ノードおよび前記1対の第2のソース/ドレイン領域上に形成されたシリサイド電極とを含む直列接続トランジスタと、前記1対の第2のソース/ドレイン領域の一方上のシリサイド電極に接続された第1の信号線と、前記1対の第2のソース/ドレイン領域の他方上のシリサイド電極に接続された第2の信号線と、前記第2のゲート電極に接続された第3の信号線と、前記一対の第1のソース/ドレイン領域の他方および前記第3のゲート電極の少なくとも一部の上方を含む領域に形成された蓄積電極と、前記蓄積電極の表面上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された対向電極と、前記蓄積電極下方に形成され、前記蓄積電極と前記1対の第1のソース/ドレイン領域の他方とを接続する第1の導電性接続部材と、前記蓄積電極下方に形成され、前記蓄積電極と前記第3のゲート電極を接続する第2の導電性接続部材とを有する半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 461 ,  G11C 15/04 601
FI (4)：
H01L 27/10 461 ,  G11C 15/04 601 A ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 681 Z
F-Term (17)：
5F083AD21 ,  5F083AD42 ,  5F083AD69 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA39 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA01 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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