半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997346372
Publication number (International publication number)：1999177056
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】キャパシタ絶縁膜をコンフォーマルに堆積する必要がなく、電極膜の堆積によるキャパシタ絶縁膜へのダメージを回避することができ、しかも簡単な工程でキャパシタを形成することを可能とする。【解決手段】半導体基板11の主面側にキャパシタの一方の電極25及び他方の電極27を形成する工程と、その後にキャパシタの一方の電極25及び他方の電極27の側面に接するキャパシタの誘電体膜28を形成する工程とを有し、キャパシタの一方の電極25及び他方の電極27とこれらの側壁に挟まれた誘電体膜28とによってキャパシタを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面側にキャパシタの一方の電極及び他方の電極を形成する工程と、その後に前記キャパシタの一方の電極及び他方の電極の側面に接するキャパシタの誘電体膜を形成する工程とを有し、前記キャパシタの一方の電極及び他方の電極とこれらの側壁に挟まれた前記誘電体膜とによってキャパシタを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

コンデンサおよび半導体メモリデバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-124112 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149519 Applicant：セイコーエプソン株式会社
メモリセル装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-322253 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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