半導体装置及びその製造方法、半導体装置を用いた固体撮像装置並びに固体撮像システム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000361676
Publication number (International publication number)：2002164528
Application date： Nov. 28, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】感度を維持しつつ空乏層が選択酸化膜のバーズビークに接触しないようにしてS/N比を向上させる。【解決手段】半導体素子を分離する選択酸化膜103と、選択酸化膜103下に形成されチャネル領域の拡がりを規定するチャネルストップ層104とを備えたMOS型撮像素子において、チャネルストップ層104は、選択酸化膜103のバーズビークを覆うように形成されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体素子を分離する選択酸化膜と、前記選択酸化膜下に形成されチャネル領域の拡がりを規定するチャネルストップ層とを備えた半導体装置において、前記チャネルストップ層は、前記選択酸化膜のバーズビークを覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/146 , H01L 21/265 , H01L 21/265 604 , H01L 21/76 , H04N 5/335

FI (6)：

H01L 21/265 604 X , H04N 5/335 U , H01L 27/14 A , H01L 21/265 V , H01L 21/76 M , H01L 21/76 S

F-Term (27)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA19 , 4M118EA03 , 4M118EA07 , 4M118EA08 , 4M118EA16 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 5C024CX03 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024GY31 , 5F032AA14 , 5F032AC01 , 5F032BA01 , 5F032BB01 , 5F032CA03 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F032DA77

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-070801 Applicant：株式会社東芝
固体撮像装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-291363 Applicant：ソニー株式会社
固体撮像装置および固体撮像装置応用システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-203817 Applicant：株式会社東芝

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