半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998256735
Publication number (International publication number)：2000091767
Application date： Sep. 10, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】ゲート基板の交換を容易にし、並列接続された各半導体素子チップごとのゲート信号の伝達時間を均等にし、該チップから発生する熱によるゲート基板の温度上昇を小さくし、素子内部の主回路配線に起因するサージ電圧を小さくした半導体素子を得る。【解決手段】スイッチング素子と前記スイッチング素子を駆動するゲート基板を絶縁形外囲器に収納した半導体索子であって、前記外囲器に気密封止する外囲器本体と気密封止しない基板収納部分を設け、前記スイッチング素子を絶縁板を介して金属板に搭載した後、前記外囲器本体内に収納し、前記ゲート基板を前記基板収納部分へ収納した半導体素子。

Claim (excerpt)：

スイッチング素子と前記スイッチング素子を駆動するゲート基板を絶縁形外囲器に収納した半導体索子であって、前記外囲器に気密封止する外囲器本体と気密封止しない基板収納部分を設け、前記スイッチング素子を絶縁板を介して金属板に搭載した後、前記外囲器本体内に収納し、前記ゲート基板を前記基板収納部分へ収納したことを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H05K 7/14 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3)：

H05K 7/14 A , H05K 7/14 C , H01L 25/04 C

F-Term (3)：

5E348AA03 , 5E348AA08 , 5E348AA40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭60-213096
電子装置の冷却構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-207763 Applicant：富士通株式会社
電子装置及びその製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-002377 Applicant：三菱電機株式会社

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