半導体積層膜、及び半導体積層膜作製用装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：須山佐一 , 阿相順一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006189593
Publication number (International publication number)：2008021674
Application date： Jul. 10, 2006
Publication date： Jan. 31, 2008
Summary：

【課題】Si単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないSi1-XGeX膜を有する半導体多層膜を提供する。【解決手段】Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成されたSi1-XGeX(0<X≦1)膜とを具えた半導体積層膜において、前記Si1-XGeX膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Si1-XGeX膜の表面欠陥密度が104/cm2以下となるようにする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成されたSi1-XGeX(0<X≦1)膜とを具えた半導体積層膜であって、前記Si1-XGeX膜はスパッタリング法で形成するとともに、前記Si1-XGeX膜の表面欠陥密度が104/cm2以下であることを特徴とする、半導体積層膜。

IPC (4)：

H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/20 , C23C 14/06

FI (4)：

H01L21/203 S , H01L21/205 , H01L21/20 , C23C14/06 E

F-Term (41)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA35 , 4K029BA41 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC02 , 4K029DC16 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029EA01 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029FA06 , 5F045AA19 , 5F045AB01 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103LL08 , 5F103LL09 , 5F103RR06 , 5F152LL03 , 5F152LL09 , 5F152LL10 , 5F152LN03 , 5F152LN14 , 5F152LN15 , 5F152NN03 , 5F152NP04 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体薄膜製造装置および方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-282958 Applicant：国立大学法人東京農工大学
テンシル歪み有する局所「Silicon-On-Nothing」ウエーハもしくは「Silicon-On-Insulator」を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-082823 Applicant：シャープ株式会社
半導体デバイス製造のためのゲート材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-547063 Applicant：アンバーウェーブシステムズコーポレイション

Show all

Return to Previous Page