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J-GLOBAL ID：200903030744499994

半導体積層膜、及び半導体積層膜作製用装置

Inventor： 須田 良幸 ,  花房 宏明
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京農工大学
Agent (2)： 須山 佐一 ,  阿相 順一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006189593
Publication number (International publication number)：2008021674
Application date： Jul. 10, 2006
Publication date： Jan. 31, 2008
Summary：

【課題】Si単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないSi1-XGeX膜を有する半導体多層膜を提供する。【解決手段】Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成されたSi1-XGeX(0 Claim (excerpt)：

Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成されたSi1-XGeX(0 IPC (4)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  C23C 14/06

FI (4)：

H01L21/203 S ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C23C14/06 E

F-Term (41)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BA41 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029FA06 ,  5F045AA19 ,  5F045AB01 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL08 ,  5F103LL09 ,  5F103RR06 ,  5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152LN14 ,  5F152LN15 ,  5F152NN03 ,  5F152NP04 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体薄膜製造装置および方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-282958   Applicant：国立大学法人東京農工大学
• テンシル歪み有する局所「Silicon-On-Nothing」ウエーハもしくは「Silicon-On-Insulator」を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-082823   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体デバイス製造のためのゲート材料
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-547063   Applicant：アンバーウェーブシステムズコーポレイション
• 半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-396966   Applicant：三菱住友シリコン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-205762   Applicant：シャープ株式会社