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J-GLOBAL ID：200903089435821169

テンシル歪み有する局所「Silicon-On-Nothing」ウエーハもしくは「Silicon-On-Insulator」を形成する方法

Inventor： ダグラス ジェイ. トゥイート ,  シェン テン スー ,  ジェー シェン マー
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005082823
Publication number (International publication number)：2005277420
Application date： Mar. 22, 2005
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】 局所T-SONウエハー、もしくは局所T-SOIウエハーを提供すること。【解決手段】 Cデバイス製造に用いられる基板を形成する方法は、シリコン基板を準備することであって、バルクシリコン(100)基板をイオンの群から取られたイオンでドープすることにより、n型ドープされた基板とp型ドープされた基板からなるドープされた基板の群から取られたドープされた基板を形成することを包含する、ことと、シリコン基板上に第1の緩和Si1-xGex (0<X≦1)層を形成することと、第1の緩和Si1-xGex (0<X≦1)層上に第1のテンシル歪みシリコンキャップを形成することと、第1のテンシル歪みシリコンキャップ上に第2の緩和Si1-xGex (0<X≦1)層を形成することと、第2の緩和Si1-xGex (0<X≦1)層上に第2のテンシル歪みシリコンキャップを形成することと、ICデバイスを完成させることとを包含する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ICデバイス製造に用いられる基板を形成する方法であって、 シリコン基板を準備することであって、バルクシリコン(100)基板をイオンの群から取られたイオンでドープすることにより、n型ドープされた基板とp型ドープされた基板からなるドープされた基板の群から取られたドープされた基板を形成することを包含する、ことと、 該シリコン基板上に第1の緩和Si1-xGex (0<X≦1)層を形成することと、 該第1の緩和Si1-xGex (0<X≦1)層上に第1のテンシル歪みシリコンキャップを形成することと、 該第1のテンシル歪みシリコンキャップ上に第2の緩和Si1-xGex (0<X≦1)層を形成することと、 該第2の緩和Si1-xGex (0<X≦1)層上に第2のテンシル歪みシリコンキャップを形成することと、 ICデバイスを完成させることと を包含する、方法。

IPC (5)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

FI (6)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301H ,  H01L27/08 321C ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 613A

F-Term (48)：

5F048AC03 ,  5F048BA03 ,  5F048BA14 ,  5F048BD01 ,  5F048BD09 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ21 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM02 ,  5F110NN62 ,  5F140AA01 ,  5F140AA21 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BB00 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC15 ,  5F140BF01 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BH39 ,  5F140BH45 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ及び半導体装置、並びにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-289655   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-323914   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-011009   Applicant：名古屋大学長

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• "SON (silicon on nothing)-a new device architecture for the ULSI era "
• "Silicon-on-Nothing (SON)-an innovative process for advanced CMOS"