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J-GLOBAL ID：200903030869200770
炭化ケイ素半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154962
Publication number (International publication number)：2006332401
Application date： May. 27, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】 本発明は、低いオン抵抗、かつ、高耐圧の炭化ケイ素縦型MOSFETを実現することを目的とする。【解決手段】 第1導電型の高濃度炭化ケイ素基板表面上に形成された第1導電型の低濃度の第1の炭化ケイ素堆積膜と、該第1の炭化ケイ素堆積膜上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2導電型の高濃度ゲート領域からなる第2の炭化ケイ素堆積膜と、前記第1の領域とその上に形成された前記第1の領域の幅未満の幅を持つ第2の領域と第2導電型の低濃度ゲート領域と該第2導電型の低濃度ゲート領域内に形成された第1導電型の高濃度ソース領域とからなる前記第2の炭化ケイ素堆積膜上の第3の炭化ケイ素堆積膜と、前記第1の炭化ケイ素堆積膜に接し、前記第1の領域及び第2の領域に形成されている第1導電型の低濃度ベース領域と、を少なくとも有する縦型MOSFETである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1導電型の高濃度炭化ケイ素基板表面上に形成された第1導電型の低濃度の第1の炭化ケイ素堆積膜と、
該第1の炭化ケイ素堆積膜上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2導電型の高濃度ゲート領域からなる第2の炭化ケイ素堆積膜と、
前記第1の領域とその上に形成された前記第1の領域の幅未満の幅を持つ第2の領域と第2導電型の低濃度ゲート領域と該第2導電型の低濃度ゲート領域内に形成された第1導電型の高濃度ソース領域とからなる前記第2の炭化ケイ素堆積膜上の第3の炭化ケイ素堆積膜と、
前記第1の炭化ケイ素堆積膜に接し、前記第1の領域及び第2の領域に形成されている第1導電型の低濃度ベース領域と、
少なくとも前記第3の炭化ケイ素堆積膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記低濃度ゲート領域上に形成されたゲート電極と、
前記第1導電型の炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極と、
前記第1導電型の高濃度ソース領域及び第2導電型の低濃度ゲート領域の一部に低抵抗接続されているソース電極と、
から構成されている炭化ケイ素半導体装置。
IPC (2)：
FI (4)：
H01L29/78 652J
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652T
Cited by applicant (1)
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炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：再公表公報
Application number：JP2003012727
Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社
Cited by examiner (6)
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