ポジ型レジスト材料

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中本宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993077419
Publication number (International publication number)：1994266110
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】従来技術を上回る、高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】ベース樹脂(A)、1分子中に2個以上のt-ブチル基を含む溶解阻害剤(B)、一般式(化1):(R)nAM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩(C)、及び窒素含有化合物(D)を含有するアルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジスト材料。(D)の例には、脂肪酸アミド、アミノベンゼン誘導体、及び含窒素複素環式化合物がある。【効果】大気中の窒素含有化合物の影響を受け難くタイムディレーの問題を無視できる。

Claim (excerpt)：

ベース樹脂(A)、1分子中に2個以上のt-ブチル基を含む溶解阻害剤(B)、及び下記一般式(化1):【化1】 (R)nAM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストが、更に窒素含有化合物(D)を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/023 511 , G03F 7/029 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-353015 Applicant：株式会社東芝
特開平4-158363
特開昭63-149640

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