ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：中本宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994130829
Publication number (International publication number)：1995319163
Application date： May. 23, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルメチルオキシ基で置換された樹脂、1分子中に2個以上のt-ブチル基を含む溶解阻害剤、一般式(化1):(R)nAM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩、及び窒素含有化合物を含有するアルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジスト材料。【効果】露光部と未露光部の溶解速度比が大きくでき、高解像性のパタンが形成できる。

Claim (excerpt)：

ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルメチルオキシ基で置換された樹脂、1分子中に2個以上のt-ブチル基を含む溶解阻害剤、及び一般式(化1):(R)nAM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストが、更に窒素含有化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (3)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-100310 Applicant：株式会社東芝
パタン形成材料及びそれを用いたパタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-090609 Applicant：株式会社日立製作所
レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-125006 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page