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J-GLOBAL ID：200903079578919016

レジスト組成物

Inventor： 仁木 博一 ,  早瀬 留美子 ,  若林 弘光 ,  親里 直彦 ,  大西 廉伸 ,  佐藤 一夫 ,  千葉 謙治 ,  林 理生
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994125006
Publication number (International publication number)：1995134419
Application date： Jun. 07, 1994
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】パターン表面に庇状の難溶化層を形成せずに、断面が矩形の微細なパターンを、形成することができるレジスト組成物を提供する。【構成】(a)下記化1に示す一般式(1)で表わされる化合物、(b)化学放射線の照射により酸を発生する化合物、及び含窒素化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物である。前記成分(a)は、4,000≦Mw(重量平均分子量)≦50,000の範囲内であり、1.10≦Mw/Mn(数平均分子量)≦2.5の範囲内であり、Mw及びMnは、それぞれスチレン換算である。【化1】(上記一般式(1)中、R1 は、は水素原子又はメチル基であり、R2 は1価の有機基である。mは0又は正の整数、nは正の整数であり、0.03≦n/(m+n)≦1を満足する数である。)

Claim (excerpt)：

(a)下記化1に示す一般式(1)で表わされる化合物、(b)化学放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(c)含窒素化合物を含有し、前記成分(a)の化合物は、4,000≦Mw≦50,000の範囲内であり、1.10≦Mw/Mn≦2.50の範囲内(Mw及びMnは、それぞれ重量平均分子量及び数平均分子量を表わし、それぞれスチレン換算である。)であることを特徴とするレジスト組成物。【化1】(上記一般式(1)中、R1 は水素原子またはメチル基であり、R2 は1価の有機基である。mは0または正の整数、nは正の整数であり、0.03≦n/(m+n)≦1を満足する数である。)

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  C08K 5/16 ,  C08L 25/18 LEK ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100310   Applicant：株式会社東芝
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-073169   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-285775   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-075062
  
• 特開平4-080758
  
• 放射感受性の組成物及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-304792   Applicant：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド
• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-077419   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開昭63-149640