マスクパターン形成方法及びX線マスクの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996119716
Publication number (International publication number)：1997281689
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】マスクパターン材料層(X線吸収体層など)とエッチングマスク層及び/又はエッチング停止層との間の相対的なエッチング選択比を十分に高くし、エッチングマスク層及び/又はエッチング停止層の膜厚低減を図る。【解決手段】 X線吸収体材料層13のエッチングガスとして塩素を用い、クロムを主成分とするエッチングマスク層14及びエッチング停止層15のエッチングガスとして塩素と酸素の混合ガスを用い、該塩素と酸素の混合ガスにおける酸素の分量を流量比において1〜50%とする。

Claim (excerpt)：

マスク基体上に、所定波長域の電磁波もしくは所定エネルギーの荷電ビームに対して遮光性を有するマスクパターンを形成する方法であって、マスクパターン材料層の上側にエッチングマスク層を形成し、該エッチングマスク層を所定のパターンにエッチングした後、エッチングマスクパターンをマスクとしてマスクパターン材料層をエッチングする工程、又は、マスクパターン材料層の下側にエッチング停止層を形成し、マスクパターン材料層を所定のパターンにエッチングした後、エッチング停止層の露出部分をエッチングする工程の少なくとも一方を有し、前記マスクパターン材料層とエッチングマスク層及び/又はエッチング停止層との材料の組合せが、タンタルを主成分とする材料とクロムを主成分とする材料との組合せであり、タンタルを主成分とする材料からなる層のエッチングガスとして塩素を用いたドライエッチングを行い、クロムを主成分とする材料からなる層のエッチングガスとして塩素と酸素を用いたドライエッチングを行うことを特徴とするマスクパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 531 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

X線マスクの製造方法及びそれにより得られたX線マスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-189677 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社
X線マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-187631 Applicant：株式会社東芝
X線マスク及びX線マスク材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-228024 Applicant：ホーヤ株式会社

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