クリーニングガス、エッチングガス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂本栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995096985
Publication number (International publication number)：1996291299
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】CVD法等で成膜した薄膜等のエッチングガスおよび該薄膜形成装置等に堆積した堆積不純物のクリーニングガスを提供する。【構成】ヘテロ原子を含むパーフルオロカーボンを含有するガス組成物からなり、特にパーフルオロアルキルアミン、パーフルオロアルキルエーテル、パーフルオロアルキルケトン、パーフルオロアルキルカルボニルフロリド、パーフルオロ環状エーテルからなる。

Claim (excerpt)：

薄膜形成装置に堆積した金属またはその化合物よりなる堆積物を除去するに際し、ヘテロ原子を含むパーフルオロカーボンを含有することを特徴とするクリーニングガス。

IPC (6)：

C11D 7/28 , C09K 13/08 , C11D 7/32 , H01L 21/205 , H01L 21/304 341 , H01L 21/3065

FI (7)：

C11D 7/28 , C09K 13/08 , C11D 7/32 , H01L 21/205 , H01L 21/304 341 D , H01L 21/302 F , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-170980 Applicant：ソニー株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-309102 Applicant：ソニー株式会社
反応室の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-028576 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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