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J-GLOBAL ID：200903031391154137

単結晶を製造するための種結晶、種結晶の使用方法並びにSiC単結晶或いは単結晶SiC膜の製造方法

Inventor：
フエルクル、ヨハネス

About フエルクル、ヨハネス

, 
シユタイン、ルネ

About シユタイン、ルネ


Applicant, Patent owner：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

About シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト


Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997508802
Publication number (International publication number)：1999510781
Application date： Jun. 27, 1996
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：
【要約】種結晶(2)の表面(3)は、第一の部分領域(4)に気相成長する単結晶(6)のための結晶化面が設けられ、第二の部分領域(5)に種結晶(2)及び気相に対して化学的に耐性があり、成長温度では溶融しない皮膜(7)が備えられる。これにより種結晶(2)における崩壊が回避され、製造される単結晶(6)の品質が向上する。
Claim (excerpt)：
a)第一の部分領域(4)に気相から単結晶(6)を成長させるための結晶化面が設けられ、b)少なくとも第二の部分領域(5)に、種結晶(2)の材料及び気相に対して実質的に化学的に耐性があり成長温度以上の溶融点を持つ皮膜(7)を備えている表面(3)を備えた単結晶を製造するための種結晶(2)。
IPC (3)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  C30B 25/18
FI (3)：
C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  C30B 25/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-237882   Applicant：ローム株式会社
  • 大サイズ単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156171   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
  • 特開昭61-291494
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Cited by examiner (5)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-237882   Applicant：ローム株式会社
  • 大サイズ単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156171   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
  • 特開昭61-291494
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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