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J-GLOBAL ID：200903031544270972

α-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びα-SiCヘテロエピタキシャル薄膜

Inventor：
楠森 毅

About 楠森 毅

, 
武藤 八三

About 武藤 八三


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001293377
Publication number (International publication number)：2003095796
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 α-SiCエピタキシャル薄膜を低温で、しかもSiC単結晶基板以外の異種基板上に作製する方法及び本方法により得られるα-SiCヘテロエピタキシャル薄膜を提供する。【解決手段】 レーザアブレーション法によりα-SiCエピタキシャル薄膜を作製する方法であって、低圧の不活性ガス雰囲気中でα-SiCの単結晶体又は多結晶体のターゲットにパルスレーザを照射して蒸発させ、続いて、加熱した、SiC単結晶とは異なる異種単結晶基板上に堆積させることにより成膜を行うことを特徴とするα-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法、及び該方法で作製した高温相のα-SiCヘテロエピタキシャル薄膜。
Claim (excerpt)：
α-SiCエピタキシャル薄膜を作製する方法であって、低圧不活性ガス雰囲気中で高温相のα-SiCのターゲットにパルスレーザを照射してターゲットを蒸発(アブレーション)させ、加熱した基板上に堆積させることによりα-SiCのエピタキシャル薄膜を作製することを特徴とするα-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法。
IPC (5)：
C30B 29/36 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203
FI (5)：
C30B 29/36 A ,  C23C 14/06 E ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/08 Z ,  H01L 21/203 Z
F-Term (21)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA03 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077SB10 ,  4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029BA56 ,  4K029BB10 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  5F103AA10 ,  5F103BB23 ,  5F103BB55 ,  5F103DD17 ,  5F103HH04 ,  5F103NN01 ,  5F103RR10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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